SWISSIMPIANTI Sagl
ГАЛЕРЕЯ проектов
DLC Ta-C
DLC Ta-C
SOBOL 4 - 500
-
Углеродный импульсно-дуговый источник плазмы (Carbon Source) - 2
-
Титановый дуговой источник плазмы (Titan Source) - 2
-
Ионный источник плазмы (Ion Source)
-
Смещение (BIAS)
-
Выносной стол (Mobile carousel 68 axis, diam. 500mm)
Рабочая зона - H 400mm x D 500mm
Покрытие - DLC Ta-C
DLC Ta-C
DLC Ta-C
PLASMA ADS 600
-
Углеродный импульсно-дуговый источник плазмы (Carbon Source) - 2
-
Титановый дуговой источник плазмы (Titan Source) - 2
-
Ионный источник плазмы (Ion Source)
-
Смещение (BIAS)
-
Выносной стол (Mobile carousel 8 axis, diam. 600mm)
Рабочая зона - H 400mm x D 600mm
Покрытие - DLC Ta-C
PLASMA CUBE 400
-
Углеродный импульсно-дуговый источник плазмы (Carbon Source) - 1
-
Титановый дуговой источник плазмы (Titan Source) - 1
-
Ионный источник плазмы (Ion Source)
-
Смещение (BIAS)
-
Выносной стол (Mobile carousel 68 axis, diam. 400mm)
Рабочая зона - H 100mm x D 400mm
Покрытие - DLC Ta-C
DLC Ta-C NAGATA-SEIKI
DLC Ta-C NAGATA-SEIKI
NEW DLC-600
-
Углеродный импульсно-дуговый источник плазмы (Carbon Source) - 8
-
Титановый дуговой источник плазмы (Titan Source) - 2
-
Ионный источник плазмы (Ion Source) - 6
-
Смещение (BIAS)
-
Cтол (Сarousel 48 axis, diam. 600mm)
Рабочая зона - H 400mm x D 600mm
Покрытие - DLC Ta-C
DLC Ta-C УВНИПА-1-002
DLC Ta-C УВНИПА-1-002
DLC-600 модернизированная УВНИПА-1-002
-
Углеродный импульсно-дуговый источник плазмы (Carbon Source) - 8
-
Титановый дуговой источник плазмы (Titan Source) - 2
-
Ионный источник плазмы (Ion Source) - 2
-
Смещение (BIAS)
-
Выносной стол (Mobile carousel 68 axis, diam. 600mm)
Рабочая зона - H 400mm x D 600mm
Покрытие - DLC Ta-C
DLC Stripping machine
-
Ионный источник плазмы (Ion Source) - 8
-
Смещение (BIAS)
-
Стол (Carousel 180 axis, diam. 450mm)
Рабочая зона - H 200mm x D 400mm
Удаление покрытия - DLC Ta-C
Ion Etching machine for Blades
-
Ионный источник плазмы (Ion Source) - 6
-
ПИНК источник плазмы (PINK)
-
Смещение (BIAS)
-
Выносной стол (Mobile carousel 8 axis, diam. 600mm)
-
Держатель для лезвий (200 000 шт.)
Рабочая зона - H 400mm x D 600mm
Ионная заточка и азотирование (Ionic Sharpening and Debarring, Nitrating)
Polishing Electron Beam System
-
Источник электронного пучка 30кВ (Electron Beam source)
-
3D стол (3D table)
Рабочая зона - 100 x 200 x 300mm
Полировка электоронным пучком (Surface Polishing)
Ion Implantation System
Параметры:
-
I penning - 0.5...1.5 A
-
U target - 0...2000 V
-
U acc - 30...35 kV
Рабочая зона - диам. 300mm
Легирование поверхностного слоя (Ion-implantation doping of a superficial layer)