swissimpianti, ta-C DLC deposition, DLC machine

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DLC Ta-C

SOBOL 4 - 500
Tipo di rivestimento - DLC Ta-C

Composizione:

Sorgente carbonio di plasma ad arco pulsato - 2 pz.
Sorgente titanio di plasma ad arco - 2 pz.
Sorgente ionico di plasma
Bias
Giostra con 68 assi e un carrello

Area di lavoro - H 400mm x ø500mm

DLC Ta-C

PLASMA ADS 600
Tipo di rivestimento - DLC Ta-C

Composizione:

Sorgente carbonio di plasma ad arco pulsato - 2 pz.
Sorgente titanio di plasma ad arco - 2 pz.
Sorgente ionico di plasma
Bias
Giostra con 8 assi e un carrello

Area di lavoro - H 400mm x ø600mm

PLASMA CUBE 400 Ta-C DLC

PLASMA CUBE 400
Tipo di rivestimento - DLC Ta-C

Composizione:

Sorgente carbonio di plasma ad arco pulsato
Sorgente titanio di plasma ad arco
Sorgente ionico di plasma
Bias
Giostra con 68 assi e un carrello

Area di lavoro - H 400mm x ø500mm

DLC Ta-C NAGATA-SEIKI

NEW DLC-600

Tipo di rivestimento - DLC Ta-C

Composizione:

Sorgente carbonio di plasma ad arco pulsato - 8 pz.
Sorgente titanio di plasma- 2 pz.
Sorgente ionico di plasma - 6 pz.
Bias
Giostra con 48 assi

Area di lavoro - H 400mm x ø600mm

DLC Ta-C УВНИПА-1-002

DLC-600 modernizzato UVNIPL-1-002

Tipo di rivestimento - DLC Ta-C

Composizione:

Sorgente carbonio di plasma ad arco pulsato - 8 pz.
Sorgente titanio di plasma ad arco - 2 pz.
Sorgente ionico di plasma - 2 pz.
Bias
Giostra con 68 assi e un carrello

Area di lavoro - H 400mm x ø600mm

DLC impianto di stripping

Stripping DLC Ta-C

Composizione:

Sorgente ionico di plasma - 8 pz.
Bias
Giostra con 180 assi

Area di lavoro - H 200mm x ø400mm

Impianto di Ion Etching per lame

Sharpening e Debarring ionici, Nitriding

Composizione:

Sorgente di plasma Ionico - 6 pz.
Sorgente di plasma PINK
Bias
Giostra remota con 68 assi e un carrello

Area di lavoro - H 400mm x ø600mm

Sistema di polishing Electron beam

Clearing e processing finale di superficie

Composizione:

Sorgente di Electron Beam - 30kV
Tavolo 3D 200x300x150mm

Sistema di implantazione ionica

Ion-implantation doping dello strato superficiale

I parameteri:

I penning - 0.5 – 1.5 A
U target - 0 – 2000 V
U acc - 30 – 35 kV

Area di lavoro - ø300mm